“ 采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，助力打造業界最快、最小、最高效的解決方案。
加利福尼亞州托倫斯2024年10月14日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日發布全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產品——GaNSlim?，其憑借最高級別的集成度和散熱性能，可為手機和筆記本電腦充電器、電視電源、固態照明電源等領域，進一步簡化和加速尺寸緊湊、高功率密度的應用開發。
作為全新的氮化鎵功率芯片，GaNSlim采用納微專利的DPAK-4L封裝，具有高散熱性能，通過集成驅動、控制和保護，以及內置的智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，使得系統設計變得最為簡單、設計進展更快速和產品尺寸更小巧。此外，由于具備低于10μA的超低啟動電流和超低待機電流，GaNSlim可與SOT23-6控制器兼容，無需高壓啟動功能，就能滿足待機功耗要求。
集成的無損電流檢測功能可以省去外部電流檢測電阻，優化了系統的效率和可靠性。過溫保護功能確保了系統的魯棒性，自動睡眠模式提高了輕載和無負載時的效率。智能化開關斜率控制最大程度地提高了效率和功率密度，同時減少了外部元件的數量、系統成本和優化了EMI性能。
GaNSlim采用了DPAK-4L封裝，該封裝為納微專利，具有高散熱性能、小外觀尺寸、低寄生電感。與其他傳統的QFN封裝相比，工作溫度低7°C以上，可支持高達500W的高功率密度設計。目標應用市場包括手機和筆記本電腦的充電器、電視電源、固態照明電源等領域。
納微半導體 高級技術營銷經理 詹仁雄
“納微的氮化鎵功率芯片專注于以更高的集成度實現高效率、高性能的功率變換，打造最簡單的系統設計，盡可能縮短客戶產品從設計到市場的時間。
納微最新的GaNSlim系列產品，基于高度集成、簡單易用和成本優化的理念打造而來，將持續助力納微開辟更多的客戶渠道，目前采用GaNSlim設計的在研項目已有超50個。同時，由于GaNSlim方案相比傳統硅具有更好的系統成本優勢，正在500W以下的手機和筆電充電器、消費電子和家用電器多個市場得到廣泛應用。”
GaNSlim家族NV614x系列產品，額定DC耐壓為700V，導通阻抗（RDS(ON)）從120m?到330m?，并分別針對隔離型和非隔離型電源拓撲作了相應的性能優化，可提供豐富的產品類型。
原文始發于微信公眾號（納微芯球）：集成之巔，易用至極！納微發布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片